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LED芯片使用过程中经常遇到的问题及解析方案


1.正向电压下降,暗光   A:一种是电极与发光资料为欧姆触摸,但触摸电阻大,首要由资料衬底低浓度或电极残缺所形成的。   B:一种是电极与资料为非欧姆触摸,首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印,散布方位。   别的封装进程中也能够形成正向压下降,首要缘由有银胶固化不充分,支架或芯片电极沾污等形成触摸电阻大或触摸电阻不稳定。   正向压下降的芯片在固定电压测验时,经过芯片的电流小,然后体现暗点,还有一种暗光表象是芯片自身发光功率低,正向压降正常。   2.难压焊:(首要有打不粘,电极掉落,打穿电极)   A:打不粘:首要因为电极外表氧化或有胶   B:有与发光资料触摸不牢和加厚焊线层不牢,其间以加厚层掉落为主。   C:打穿电极:通常与芯片资料有关,资料脆且强度不高的资料易打穿电极,通常GAALAS资料(如高红,红外芯片)较GAP资料易打穿电极,   D:压焊调试应从焊接温度,超声波功率,超声时刻,压力,金球巨细,支架定位等进行调整。   3.发光色彩区别:   A:同一张芯片发光色彩有显着区别首要是因为外延片资料疑问,ALGAINP四元素资料选用量子布局很薄,成长是很难确保各区域组分共同。(组分决议禁带宽度,禁带宽度决议波长)。   B:GAP黄绿芯片,发光波长不会有很大误差,可是因为人眼对这个波段色彩灵敏,很简单查出偏黄,偏绿。因为波长是外延片资料决议的,区域越小,呈现色彩误差概念越小,故在M/T作业中有附近选取法。   C:GAP赤色芯片有的发光色彩是偏橙黄色,这是因为其发光机理为直接跃进。受杂质浓度影响,电流密度加大时,易发生杂质能级偏移和发光饱满,发光是开端变为橙黄色。   4.闸流体效应;   A:是发光二极管在正常电压下无法导通,当电压加高到必定程度,电流发生骤变。   B:发生闸流体表象缘由是发光资料外延片成长时呈现了反向夹层,有此表象的LED在IF=20MA时测验的正向压降有躲藏性,在运用进程是出于南北极电压不行大,体现为不亮,可用测验信息仪器从晶体管图示仪测验曲线,也能够经过小电流IF=10UA下的正向压降来发现,小电流下的正向压降显着偏大,则能够是该疑问所形成的。   5.反向漏电:   A:缘由:外延资料,芯片制造,器材封装,测验通常5V下反向漏电流为10UA,也能够固定反向电流下测验反向电压。   B:不一样类型的LED反向特性相差大:普绿,普黄芯片反向击穿可到达一百多伏,而普芯片则在十几二十伏之间。   C:外延形成的反向漏电首要由PN结内部布局缺点所形成的,芯片制造进程中旁边面腐蚀不行或有银胶丝沾附在测面,严禁用有机溶液分配银胶。以避免银胶经过毛细表象爬到结区。
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